Новости по акциям Navitas Semiconductor (NVTS)

Компания NVTS заключает крупнейшие альянсы для продвижения технологий GaN и SiC в сферах искусственного интеллекта, зарядки электротранспорта и чистой энергетики. Технологии нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) значительно улучшают энергетическую эффективность и производительность в сравнении с традиционными кремниевыми полупроводниками. Эти материалы становятся все более популярными в различных отраслях, включая автомобильную и энергетическую, благодаря их способности снижать потери энергии и увеличивать плотность мощности. Сфера применения GaN и SiC расширяется, так как растет спрос на более энергоэффективные и производительные решения. Использование этих технологий позволяет не только сокращать углеродный след, но и развивать новые индустрии, связанные с устойчивыми источниками энергии. Недавние стратегические партнерства подчеркнули значимость и перспективы этих технологий в будущем.

Акции компании Navitas Semiconductor, занимающейся производством полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), в июне взлетели на 28,4%, согласно данным S&P Global Market Intelligence. В последнее время акции компании показывают впечатляющий рост, и на момент написания они увеличились более чем на 80% с начала года. Navitas Semiconductor была основана в 2014 году и является одним из лидеров в производстве полупроводников на основе новых материалов, которые обеспечивают более высокую производительность и эффективность по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Основное направление компании — это разработка решений для ускорения зарядки и повышения мощности в электронике, включая смартфоны, ноутбуки и электронные устройства следующего поколения.

Компания NVTS расширяет своё присутствие в области нитрида галлия (GaN) благодаря значительным успехам в секторах мобильной связи, электрических автомобилей и солнечной энергии, что приводит к увеличению доходов в 2024 году более чем на 50% по сравнению с предыдущим годом. В связи с этим успехом, NVTS планирует дополнительные инвестиции в разработку новых технологий и расширение производственных мощностей, чтобы соответствовать растущему спросу на продукцию с использованием нитрида галлия. Кроме того, компания уделяет особое внимание устойчивому развитию и экосистеме возобновляемой энергии, что способствует её долгосрочному росту и укреплению позиций на мировом рынке.

Компания Navitas Semiconductor (тикер на бирже NVTS, рост на 1,74%), производитель чипов на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), стала публичной с помощью слияния с компанией специального назначения (SPAC) 21 октября 2021 года. Акции начали торговаться по цене $13, и стоимость достигла рекордного уровня $22,19 12 ноября 2021 года. Navitas Semiconductor стала известна благодаря своим инновациям в области энергетической электроники, которые позволяют увеличить эффективность и компактность устройств. Технологии компании находят применение в зарядных устройствах для смартфонов, адаптерах питания и устройствах для электромобилей. За последнее время Navitas заключила ряд важных контрактов с крупными производителями электроники, что способствует укреплению её позиций на рынке.

Высоковольтный дизайн Nvidia нарушает устоявшиеся цепочки поставок, выводя на передний план ранее малоизвестных производителей чипов в масштабируемой экосистеме центров обработки данных с искусственным интеллектом. Это приводит к усилению конкуренции на рынке, где традиционным поставщикам приходится адаптироваться к новым условиям. Nvidia активно развивает свои технологии и инфраструктуру, чтобы удовлетворять растущий спрос на продвинутые AI-решения. В то же время, компания продолжает инвестировать в разработки, направленные на оптимизацию производительности и энергоэффективности своих чипов.

Компания Navitas Semiconductor Corp. (NASDAQ: NVTS) демонстрирует впечатляющий рост, и цена её акций выросла почти на 300%: с уровня ниже $2 22 мая до более чем $8 в настоящее время. Этот значительный рост последовал за объявлением Navitas в прошлом месяце о том, что Nvidia выбрала компанию для поставки энергии для своих систем центров обработки данных следующего поколения с искусственным интеллектом (AI). Navitas Semiconductor является одним из лидеров в разработке решений на основе нитрида галлия (GaN) для повышения эффективности и производительности полупроводниковых устройств. На фоне растущего интереса к технологиям искусственного интеллекта и увеличения спроса на мощности обработки данных, партнерство с Nvidia представляет собой важное стратегическое достижение для Navitas.

Партнёрство компании NVTS с NVDA предлагает значительный потенциал долгосрочного роста, хотя в краткосрочной перспективе финансовое воздействие будет минимальным, поскольку продукт Rubin Ultra будет запущен только с 2027 года. Руководство компании сообщило об увеличении числа новых заказов на $450 млн и растущем объёме заказов на $2,4 млрд в 2024 году, но эти доходы начнут поступать только во второй половине 2025 года. Продолжаемое сжигание денежных средств и ухудшающийся баланс NVTS, вероятно, приведут к дальнейшим эмиссиям акций, с тем, чтобы руководство могло воспользоваться недавним ростом курса акций. Компания NVDA, известная своими разработками в области графических процессоров и искусственного интеллекта, продолжает расширять своё присутствие на рынке технологий. Это партнёрство также укрепляет позицию NVTS как одного из ключевых игроков в технологическом секторе. Ожидается, что в долгосрочной перспективе сотрудничество может значительно повысить конкурентоспособность обеих компаний.

Ричард Хендрикс назначен председателем Исполнительного комитета совета директоров, сформированного для продвижения стратегии роста. Navitas Semiconductor, являющаяся единственной узкоспециализированной компанией следующего поколения в области силовых полупроводников и лидером в индустрии галья-нитридных (GaN) силовых интегральных схем и технологии карбида кремния (SiC), объявила о действиях совета директоров для продвижения стратегии роста компании. Navitas Semiconductor активно развивает свои технологии, что позволяет улучшить эффективность и уменьшить размеры электроэнергетических систем. В последние годы компания достигла значительных успехов, закрепив свое присутствие на глобальных рынках и установив партнерские отношения с ведущими производителями электронных устройств.

Компания Navitas Semiconductor, лидер в области полупроводниковых решений нового поколения, объявила, что ее интегральные схемы высокой мощности GaNSafe™ прошли автомобильную квалификацию по стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101, что демонстрирует следующий шаг вхождения технологии галлия нитрида (GaN) в автомобильный рынок. Эти достижения подтверждают надежность и эффективность решений на основе GaN для использования в автомобилестроении. Вдобавок Navitas недавно объявила о партнерстве с несколькими ведущими автомобильными компаниями для внедрения своих технологий в новые модели автомобилей, укрепляя свое положение на рынке.

Мощные транзисторы MOSFETs GaNSafe™ и GeneSiC обеспечивают новый уровень энергоэффективности, снижая затраты на электроэнергию и продлевая срок службы систем. Эти современные технологии помогают улучшить производительность энергетических систем благодаря более эффективному управлению и меньшим потерям энергии. В результате, использование MOSFETs GaNSafe™ и GeneSiC позволяет существенно сократить эксплуатационные расходы и повысить долговечность оборудования. Данные транзисторы уже находят применение в различных индустриях, в том числе в возобновляемых источниках энергии и электротранспорте.

Компания Navitas Semiconductor добилась рекордного дохода в 2024 году, увеличив его на 5% по сравнению с предыдущим годом. Тем не менее, цена акций NVTS остается близка к рекордно низкому уровню из-за более медленного роста по сравнению с 2023 годом. В 2024 году компания достигла более 430 проектных побед, с общим доходом от них в 450 миллионов долларов. Navitas Semiconductor, пионер в сфере энергоснабжения на базе нитрида галлия, продолжает укреплять свои позиции на рынке, увеличивая количество клиентов и расширяя свою продуктовую базу.

Акции компании Navitas Semiconductor значительно упали на прошлой неделе. Цена акций производителя чипов завершила неделю с падением на 22,7% по сравнению с закрытием предыдущей недели, согласно данным S&P Global Market Intelligence. Navitas Semiconductor является известным игроком на рынке полупроводниковых решений и занимается разработкой энергоэффективных чипов на основе нитрида галлия (GaN). Компания продолжает функционировать в условиях повышенной рыночной волатильности, что влияет на ее акционерную стоимость.

Акции Navitas Semiconductor резко снизились в цене во время торгов во вторник. К 14:15 стоимость акций компании упала на 19,4%. Navitas Semiconductor занимается разработкой и производством энергоэффективных микросхем на основе нитрида галлия (GaN), которые находят широкое применение в различных электронных устройствах. В прошлом компания отмечалась как один из лидеров в индустрии полупроводников, однако недавнее падение акций может быть связано с изменениями в ожиданиях инвесторов и общей волатильностью рынков.

Результаты за четвертый квартал NVTS показывают рекордные продажи GaN и успешные контракты в центрах обработки данных, однако слабый спрос на SiC препятствует росту выручки. GaN, или нитрид галлия, становится всё более популярным благодаря своим преимуществам перед традиционными кремниевыми компонентами, такими как повышенная эффективность и меньшие размеры устройств. Напротив, кремний-карбид (SiC) сталкивается с трудностями в спросе, что влияет на доходы компаний, работающих с этой технологией.

Компания Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) сообщила о квартальных убытках в размере $0.06 на акцию, что соответствует среднему прогнозу аналитиков Zacks. Для сравнения, год назад убытки компании составляли $0.04 на акцию. Navitas Semiconductor специализируется на разработке полупроводниковых решений, прежде всего в области энергосбережения. Компания является одним из лидеров на рынке полупроводников с применением галлий-нитрида (GaN), что позволяет значительно улучшить эффективность преобразования энергии по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.